涂料黏度高，发改需要空气压力大，喷嘴应选大口径的;涂料黏度低，需要压力小，喷嘴可以选小口径的。

 【小结】总之，委首本文综述和讨论了二维单晶受控生长过程中的四个关键因素。此外，批增还可将制备好的二维单晶作为衬底，批增通过层间耦合的方法在其表面再次生长二维单晶，从而构建层数、取向可控的多层二维单晶或垂直异质结构。

因此，量配研究大尺寸二维单晶的生长，具有十分重要的意义。电改点项地（f）由单核生长的单晶石墨烯光学照片。因此，革试现阶段，总结已有的研究成果并且对二维单晶生长作出更加系统、深入地理解，可为今后更多二维单晶的可控生长打下基础。

现阶段，目即二维单晶生长还具有巨大的研究空间和潜力。 图四、将落表面调控（a）Cu（111）上生长取向一致的石墨烯晶畴光学图。

（2）多种优异的性质，发改例如超高的载流子迁移率，界面之间的超快电荷转移等。

然而，委首要真正开发二维器件高集度成应用的巨大潜力，必须先突破制备大尺寸二维单晶的技术难关。（3）具有导体、批增半导体、绝缘体、磁体等完备的器件基本组成单元，可以制备逻辑、存储、光电和光子等器件。

量配相关研究成果以DesignedGrowthofLarge-Size2DSingleCrystals为题发表在Adv.Mater.上。图三、电改点项地生长促进（a，b）石墨烯边缘Ni原子的STM模拟图像。

（e）MoS2/hBN异质结构的快速傅里叶变换（FFT）衍射点;（f） Cu（102）上生长的取向一致的hBN晶畴，革试背景颜色为衬底的电子背散射衍射（EBSD）图;（g）Cu（102）上各种hBN晶畴取向的能量计算。目即（c）2H-MoTe2在边界再结晶过程中相选择的示意图。